Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 9, страницы 778–782 (Mi qe16682)  

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Квантовые технологии

Фотонное эхо на сверхузком оптическом переходе иона 167Er3+ в кристалле 7LiYF4

М. М. Миннегалиевa, Э. И. Байбековb, К. И. Герасимовa, С. А. Моисеевa, М. А. Смирновa, Р. В. Урманчеевa

a Казанский квантовый центр ("КАИ-КВАНТ"), Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ
b Казанский (Приволжский) федеральный университет
Список литературы:
Аннотация: Методами двухимпульсного и стимулированного фотонного эха впервые определены времена продольной и поперечной релаксации на переходе между сверхтонкими подуровнями нижних электронных состояний мультиплетов 4I15/2 и 4I9/2 ионов 167Er3+ в кристалле 7LiYF4, находящемся в нулевом магнитном поле при температуре 4 K. Обнаружена модуляция в спаде сигнала фотонного эха, предположительно обусловленная суперсверхтонким взаимодействием ионов 167Er3+ с ближайшими ионами-лигандами 19F-. Обсуждаются вклады различных взаимодействий в сверхузкую ширину линии (~24 МГц) этого перехода. Полученные результаты указывают на перспективность использования данного оптического перехода иона 167Er3+ в кристалле 7LiYF4 в рамановских схемах оптической квантовой памяти.
Ключевые слова: фотонное эхо, оптическая спектроскопия, сверхузкие оптические линии поглощения, редкоземельные ионы, Er, LiYF4, рамановская квантовая память.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-01333П
Работа выполнена при поддержке РНФ (грант № 14-12-01333П).
Поступила в редакцию: 07.07.2017
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 9, Pages 778–782
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16470
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. М. Миннегалиев, Э. И. Байбеков, К. И. Герасимов, С. А. Моисеев, М. А. Смирнов, Р. В. Урманчеев, “Фотонное эхо на сверхузком оптическом переходе иона 167Er3+ в кристалле 7LiYF4”, Квантовая электроника, 47:9 (2017), 778–782 [Quantum Electron., 47:9 (2017), 778–782]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16682
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i9/p778
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024