Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 8, страницы 730–738 (Mi qe16658)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Наноструктуры

Влияние слоистых наноструктур на ширину линии запрещенных Е2-переходов

Д. В. Гузатовa, В. В. Климовbcd

a Гродненский государственный университет им. Я. Купалы
b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
c Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, г. Москва
d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
PDF полного текста (1225 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: В рамках классической электродинамики получены и исследованы аналитические выражения для ширины линии запрещенных Е2-переходов в атоме (молекуле), расположенном вблизи слоистых металлодиэлектрических наноструктур. Показано, что интенсивность излучения на запрещенном переходе при детектировании в полупространстве за слоистой наноструктурой может значительно превышать интенсивность при детектировании в полупространстве, где расположен атом (молекула).
Ключевые слова: спонтанное излучение, запрещенный Е2-переход, ширина линии, анизотропный метаматериал, гиперболический закон дисперсии.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 8, Pages 730–738
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16413
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Д. В. Гузатов, В. В. Климов, “Влияние слоистых наноструктур на ширину линии запрещенных Е2-переходов”, Квантовая электроника, 47:8 (2017), 730–738 [Quantum Electron., 47:8 (2017), 730–738]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16658
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i8/p730
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:296
    PDF полного текста:49
    Список литературы:42
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024