Распределение усиления в объеме твердотельного активного элемента мощного лазера с диодной накачкой

Предложена методика расчета пространственного профиля усиления в объеме твердотельного активного элемента высокоэнергетического лазера с накачкой диодными матрицами, учитывающая особенности диаграммы направленности излучения полупроводниковых лазеров. С помощью данной методики получен профиль усиления в активном элементе из неодимового стекла. На примере стержня прямоугольного сечения 4.5 × 4.5 × 25 см показано, что, варьируя параметры системы накачки, можно задавать профиль усиления, например, однородный по сечению (с уровнем неоднородности менее 2.5%), с максимумом в центре или в периферийных областях и при удельном энерговкладе ~1 Дж/см³.