Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 6, страницы 503–508 (Mi qe16631)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Модификация поверхности раздела SiO2/Si при воздействии импульсно-периодического излучения волоконного лазера

А. М. Скворцовa, В. П. Вейкоa, К. Т. Хуиньb, Д. С. Поляковa, А. М. Тамперa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Quy Nhon University, Viet Nam
Список литературы:
Аннотация: Изучены особенности структурной модификации поверхности раздела кремний – окисел при воздействии импульсно-периодического лазерного излучения на длине волны 1.07 мкм. Установлено, что наличие слоя термически выращенного оксида на поверхности кремния оказывает существенное влияние на процесс дефектообразования и характер микроструктурирования поверхности благодаря особому сложнонапряженному механическому состоянию такой структуры.
Ключевые слова: поверхность раздела кремний – окисел, микроструктурирование, дислокации, микроплавление, волоконный лазер.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0197 (RFMEFI57816X0197)
«Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (соглашение № 14.578.21.0197 (RFMEFI57816X0197)).
Поступила в редакцию: 24.03.2017
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 6, Pages 503–508
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16382
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: А. М. Скворцов, В. П. Вейко, К. Т. Хуинь, Д. С. Поляков, А. М. Тампер, “Модификация поверхности раздела SiO2/Si при воздействии импульсно-периодического излучения волоконного лазера”, Квантовая электроника, 47:6 (2017), 503–508 [Quantum Electron., 47:6 (2017), 503–508]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16631
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i6/p503
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024