| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье) Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма Ионизационная реакция в полупроводниковых структурах при облучении рентгеновским излучением фемтосекундного лазерно-плазменного источника А. И. Чумаковab, М. П. Беловаb, Л. Н. Кессаринскийa, А. Я. Борисовa, К. А. Ивановcde, И. Н. Цымбаловce, Р. В. Волковce, А. Б. Савельевce, Л. И. Галанинаf, Н. П. Чирскаяf, Л. С. Новиковf a ЭНПО "СПЭЛС", г. Москва b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" c Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова d Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва e Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова f Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 6, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16364 
Реферативные базы данных:
   Образец цитирования: А. И. Чумаков, М. П. Белова, Л. Н. Кессаринский, А. Я. Борисов, К. А. Иванов, И. Н. Цымбалов, Р. В. Волков, А. Б. Савельев, Л. И. Галанина, Н. П. Чирская, Л. С. Новиков, “Ионизационная реакция в полупроводниковых структурах при облучении рентгеновским излучением фемтосекундного лазерно-плазменного источника”, Квантовая электроника, 47:6 (2017), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|