А. В. Флегель, М. В. Фролов, А. Н. Желтухин, Н. В. Введенский, “Классическая модель перерассеяния электрона в полях интенсивного инфракрасного и слабого высокочастотного импульсов излучения”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 222–227 [Quantum Electron., 47:3 (2017), 222

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 3, страницы 222–227 (Mi qe16581)

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения

Классическая модель перерассеяния электрона в полях интенсивного инфракрасного и слабого высокочастотного импульсов излучения

А. В. Флегель^a, М. В. Фролов^ba, А. Н. Желтухин^b, Н. В. Введенский^b

^a Воронежский государственный университет
^b Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

PDF полного текста (628 kB) Список цитирования (3)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Исследуется влияние слабого высокочастотного (в области вакуумного ультрафиолета (ВУФ)) лазерного импульса на механизм перерассеяния электрона на родительском ионе в процессах генерации высших гармоник и надпороговой ионизации, индуцированных интенсивным ИК лазерным полем. Обсуждаются два сценария трехступенчатой картины перерассеяния: с поглощением ВУФ-фотона на этапе ионизации атома и с поглощением/излучением ВУФ-фотона в момент рекомбинации или рассеяния возвращенного ИК полем электрона к родительскому иону. Получены оценки для положений обрыва высокоэнергетичного плато в спектрах генерации гармоник и надпороговой ионизации.

Ключевые слова: генерация высших гармоник, надпороговая ионизация, классическая модель перерассеяния, сильное лазерное поле, аналитические теории.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский научный фонд	15-12-10033
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 15-12-10033).

Поступила в редакцию: 09.02.2017

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 3, Pages 222–227
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16317

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. В. Флегель, М. В. Фролов, А. Н. Желтухин, Н. В. Введенский, “Классическая модель перерассеяния электрона в полях интенсивного инфракрасного и слабого высокочастотного импульсов излучения”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 222–227 [Quantum Electron., 47:3 (2017), 222–227]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe16581

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i3/p222

Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	172
PDF полного текста:	57
Список литературы:	27
Первая страница:	8

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы