Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 1, страницы 55–59 (Mi qe1658)  

Эта публикация цитируется в 89 научных статьях (всего в 89 статьях)

Нелинейно-оптические явления

Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах щелочноземельных вольфраматов

П. Г. Зверев, Т. Т. Басиев, А. А. Соболь, В. В. Скорняков, Л. И. Ивлева, Н. М. Полозков, В. В. Осико

Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики РАН, г. Москва
Аннотация: Представлены результаты спектроскопии спонтанного комбинационного рассеяния кристаллов щелочноземельных вольфраматов. Установлена закономерность увеличения частоты и уменьшения ширины ВКР-активных мод с увеличением радиуса и массы катиона в ряду щелочноземельных (Ca, Sr, Ba) вольфраматов. Предсказано и обнаружено высокое пиковое сечение рассеяния света в кристаллах вольфраматов бария и стронция — новых перспективных средах для ВКР. Лазерные эксперименты по исследованию порога ВКР-генерации показали, что коэффициент ВКР-усиления в кристалле вольфрамата бария близок к рекордному коэффициенту, наблюдаемому в широко распространенном ВКР-кристалле нитрата бария.
Поступила в редакцию: 19.08.1999
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 1, Pages 55–59
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n01ABEH001658
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.70.Mp, 42.65.Dr, 42.55.Ye


Образец цитирования: П. Г. Зверев, Т. Т. Басиев, А. А. Соболь, В. В. Скорняков, Л. И. Ивлева, Н. М. Полозков, В. В. Осико, “Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах щелочноземельных вольфраматов”, Квантовая электроника, 30:1 (2000), 55–59 [Quantum Electron., 30:1 (2000), 55–59]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1658
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i1/p55
  • Эта публикация цитируется в следующих 89 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:235
    PDF полного текста:173
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024