Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 3, страницы 212–215 (Mi qe16579)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения

Поперечное ускорение электронов в поле терагерцевого излучения. Терагерцевый синхротрон

М. Ю. Романовскийab

a Московский технологический университет
b Федеральное агентство научных организаций
Список литературы:
Аннотация: Исследуется поперечное ускорение электрона, вводимого в терагерцевый импульс вдоль направления волнового вектора электромагнитного поля, в присутствии внешнего постоянного магнитного поля. Оцениваются возможное приращение энергии электрона, а также длина ускорения и угол поворота электрона на выходе из импульса. Предполагаемым применением развитой схемы ускорения (помимо самого ускорителя электронов) является терагерцевый синхротрон, возможные параметры которого также оцениваются.
Ключевые слова: поперечное ускорение электронов, терагерцевый импульс, терагерцевый синхротрон.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН “Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения”.
Поступила в редакцию: 13.01.2017
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 3, Pages 212–215
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16314
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. Ю. Романовский, “Поперечное ускорение электронов в поле терагерцевого излучения. Терагерцевый синхротрон”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 212–215 [Quantum Electron., 47:3 (2017), 212–215]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16579
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i3/p212
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:234
    PDF полного текста:87
    Список литературы:28
    Первая страница:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024