Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 3, страницы 199–205 (Mi qe16572)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения

Рост эмиттанса при лазерно-плазменном ускорении электронов в направляющих структурах

М. Е. Вейсманa, С. В. Кузнецовa, Н. Е. Андреевab

a Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
Список литературы:
Аннотация: Проведено исследование угловых характеристик – эмиттанса и доли электронов, вылетающих в заданный телесный угол, для сгустков электронов, ускоряемых в кильватерных полях, генерируемых в различных направляющих структурах – капиллярных волноводах и плазменных каналах, по которым распространяются интенсивные лазерные импульсы. Исследование проведено при различных энергиях инжекции, моделирующих условия на входе в различные каскады многокаскадного ускорителя электронов. Показано, что в отличие от ограничений, определяющихся требованием захвата и ускорения значительной доли электронов сгустка, условие сохранения низкого эмиттанса сгустка, необходимое для успешной передачи ускоренного сгустка на вход следующего ускорительного каскада или другого устройства, налагает на порядок более жесткие ограничения на точность фокусировки лазерного излучения в направляющую структуру.
Ключевые слова: ускорение электронов, кильватерные поля, плазменные каналы, капиллярные волноводы, эмиттанс.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа частично поддержана Программой Президиума РАН “Экстремальное лазерное излучение: физика и фундаментальные приложения”.
Поступила в редакцию: 06.02.2017
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 3, Pages 199–205
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16304
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. Е. Вейсман, С. В. Кузнецов, Н. Е. Андреев, “Рост эмиттанса при лазерно-плазменном ускорении электронов в направляющих структурах”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 199–205 [Quantum Electron., 47:3 (2017), 199–205]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16572
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i3/p199
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:218
    PDF полного текста:62
    Список литературы:44
    Первая страница:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024