Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 1, страницы 38–41 (Mi qe16544)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Об угловом распределении напрямую ускоренных электронов под действием мощного остросфокусированного лазерного импульса

О. Е. Вайсa, С. Г. Бочкаревa, С. Тер-Аветисянb, В. Ю. Быченковa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Center for Relativistic Laser Science, Institute for Basic Science, and Department of Physics and Photon Science, Republic of Korea
Список литературы:
Аннотация: Исследованы спектрально-угловые распределения электронов, напрямую ускоренных из сверхтонкой нанофольги остросфокусированным релятивистски сильным лазерным импульсом. Используемый подход опирается на реалистичную модель описания фокусировки излучения внеосевым параболическим зеркалом, причем распределение полей моделируется с помощью интегралов Стреттона–Чу. Сопоставлены спектрально-угловые распределения электронов для лазерных импульсов с гауссовым поперечным и прямоугольным профилями интенсивности на зеркале при одной и той же энергии лазерного импульса. Показано, что в случае использования импульса с прямоугольным профилем интенсивности энергия быстрых электронов больше, а углы вылета меньше по сравнению со случаем импульса с гауссовым профилем.
Ключевые слова: остросфокусированный релятивистски сильный лазерный импульс, прямое ускорение электронов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00194
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 14-12-00194).
Поступила в редакцию: 23.11.2016
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 1, Pages 38–41
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16259
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: О. Е. Вайс, С. Г. Бочкарев, С. Тер-Аветисян, В. Ю. Быченков, “Об угловом распределении напрямую ускоренных электронов под действием мощного остросфокусированного лазерного импульса”, Квантовая электроника, 47:1 (2017), 38–41 [Quantum Electron., 47:1 (2017), 38–41]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16544
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i1/p38
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:293
    PDF полного текста:91
    Список литературы:38
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024