|
Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 1, страницы 38–41
(Mi qe16544)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Воздействие лазерного излучения на вещество
Об угловом распределении напрямую ускоренных электронов под действием мощного остросфокусированного лазерного импульса
О. Е. Вайсa, С. Г. Бочкаревa, С. Тер-Аветисянb, В. Ю. Быченковa a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Center for Relativistic Laser Science, Institute for Basic Science, and Department of Physics and Photon Science, Republic of Korea
Аннотация:
Исследованы спектрально-угловые распределения электронов, напрямую ускоренных из сверхтонкой нанофольги остросфокусированным релятивистски сильным лазерным импульсом. Используемый подход опирается на реалистичную модель описания фокусировки излучения внеосевым параболическим зеркалом, причем распределение полей моделируется с помощью интегралов Стреттона–Чу. Сопоставлены спектрально-угловые распределения электронов для лазерных импульсов с гауссовым поперечным и прямоугольным профилями интенсивности на зеркале при одной и той же энергии лазерного импульса. Показано, что в случае использования импульса с прямоугольным профилем интенсивности энергия быстрых электронов больше, а углы вылета меньше по сравнению со случаем импульса с гауссовым профилем.
Ключевые слова:
остросфокусированный релятивистски сильный лазерный импульс, прямое ускорение электронов.
Поступила в редакцию: 23.11.2016
Образец цитирования:
О. Е. Вайс, С. Г. Бочкарев, С. Тер-Аветисян, В. Ю. Быченков, “Об угловом распределении напрямую ускоренных электронов под действием мощного остросфокусированного лазерного импульса”, Квантовая электроника, 47:1 (2017), 38–41 [Quantum Electron., 47:1 (2017), 38–41]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16544 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i1/p38
|
|