Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 12, страницы 1154–1158 (Mi qe16529)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Лазерное структурирование алмазной поверхности в режиме наноабляции

В. М. Гололобовa, В. В. Кононенкоab, В. И. Коновab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
Список литературы:
Аннотация: Экспериментально исследована возможность применения процесса наноабляции (безграфитизационного фотоиндуцированного травления) для прецизионного микро- и наноструктурирования поверхности монокристалла алмаза. Обработка осуществлялась фемтосекундными импульсами третьей гармоники титан-сапфирового лазера (λ = 266 нм). Обсуждаются особенности формирования нанорельефа поверхности: регулярность формируемых структур и уменьшение скорости наноабляции вблизи уже сформированных кратеров. Продемонстрирована возможность создания алмазной фазовой дифракционной решетки с глубиной рельефа ~130 нм и проведено сравнение дифракционной картины (λ = 532 нм) с теоретическими расчетами.
Ключевые слова: наноабляция, микро- и наноструктурирование поверхности, монокристалл алмаза.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-22-00243
Работа поддержана грантом Российского научного фонда (проект № 14-22-00243).
Поступила в редакцию: 09.11.2016
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2016, Volume 46, Issue 12, Pages 1154–1158
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16254
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: В. М. Гололобов, В. В. Кононенко, В. И. Конов, “Лазерное структурирование алмазной поверхности в режиме наноабляции”, Квантовая электроника, 46:12 (2016), 1154–1158 [Quantum Electron., 46:12 (2016), 1154–1158]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16529
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v46/i12/p1154
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    1. Ni Chen, Runkai Wang, Balasubramanian Nagarajan, Bo Yan, Yang Wu, Ning He, Sylvie Castagne, Journal of Materials Research and Technology, 18 (2022), 4114  crossref
    2. V. M. Gololobov, V. V. Kononenko, V. I. Konov, Opt. Laser Technol., 131 (2020), 106396  crossref  isi
    3. S. N. Bagayev, S. M. Arakelian, A. O. Kucherik, D. N. Bukharov, O. Ya. Butkovsky, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 84:12 (2020), 1427  crossref
    4. Т. В. Кононенко, П. А. Пивоваров, А. А. Хомич, Р. А. Хмельницкий, В. И. Конов, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 244–250  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:3 (2018), 244–250  crossref  isi
    5. П. А. Пивоваров, В. С. Павельев, В. А. Сойфер, К. В. Черепанов, В. И. Анисимов, В. В. Бутузов, В. Р. Сороченко, Н. В. Артюшкин, В. Е. Рогалин, Н. И. Щебетова, В. Г. Плотниченко, В. И. Конов, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 1000–1004  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:11 (2018), 1000–1004  crossref  isi
    6. В. В. Кононенко, Е. В. Бушуев, Е. В. Заведеев, П. В. Волков, А. Ю. Лукьянов, В. И. Конов, Квантовая электроника, 47:11 (2017), 1012–1016  mathnet  elib; Quantum Electron., 47:11 (2017), 1012–1016  crossref  isi
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:361
    PDF полного текста:89
    Список литературы:71
    Первая страница:21
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025