Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 1, страницы 10–12 (Mi qe1647)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Лазеры

Миниатюрные диодно-накачиваемые лазеры на иттербий-эрбиевых стеклах с модуляцией добротности оптическими затворами на нарушенном полном внутреннем отражении

С. В. Гагарский, Б. И. Галаган, Б. И. Денкер, А. А. Корчагин, В. В. Осико, К. В. Приходько, С. Е. Сверчков

Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики РАН, г. Москва
Аннотация: Предложена оптическая схема, позволяющая получать при помощи затвора на нарушенном полном внутреннем отражении режим активной модуляции добротности в микролазерах на эрбиевом стекле с продольной накачкой. При непрерывной накачке мощностью 320 мВт получена пиковая мощность гигантских импульсов 500 — 600 Вт c частотой следования 1 кГц и длительностью 10 — 12 нс. На лазере с поперечной импульсной накачкой линейкой лазерных диодов мощностью 100 Вт при помощи затвора на нарушенном полном внутреннем отражении получены импульсы с энергией до 7.5 мДж и длительностью 30 нс.
Поступила в редакцию: 13.09.1999
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 1, Pages 10–12
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n01ABEH001647
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi


Образец цитирования: С. В. Гагарский, Б. И. Галаган, Б. И. Денкер, А. А. Корчагин, В. В. Осико, К. В. Приходько, С. Е. Сверчков, “Миниатюрные диодно-накачиваемые лазеры на иттербий-эрбиевых стеклах с модуляцией добротности оптическими затворами на нарушенном полном внутреннем отражении”, Квантовая электроника, 30:1 (2000), 10–12 [Quantum Electron., 30:1 (2000), 10–12]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1647
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i1/p10
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:249
    PDF полного текста:159
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024