|
Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 8, страницы 685–692
(Mi qe16434)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Лазеры
Анализ характеристик лазера на парах рубидия с диодной накачкой с использованием кинетического алгоритма
Хэ Цай, Ю Ван, Вэй Чжан, Лянпин Сюэ, Хунюань Ван, Цзюхун Хань, Гофэй Ань, Чжаган Цзян, Мин Гао, Цзе Чжоу, Чжие Ляо Southwestern Institute of Technical Physics, China
Аннотация:
Рассмотрены лазеры на парах щелочных металлов с диодной накачкой (ЛПЩМДН), позволяющие реализовать высокую выходную мощность. Характеристики таких лазеров сильно зависят от физических свойств используемых буферных газов, а также от структурных параметров ячейки с парами. Особое внимание было сосредоточено на лазере на парах рубидия с диодной накачкой (ЛПРДН): исследовалось влияние на его характеристики различных условий и параметров. Результаты показывают, что ширина линии D2 излучения ЛПРДН и скорость перемешивания подуровней тонкой структуры возбужденных уровней, являющиеся решающими факторами реализации мощного ЛПРДН, увеличиваются с повышением давления буферных газов и температуры ячейки с парами. Показано, что отношение населенностей двух возбужденных энергетических уровней приближается к отношению, соответствующему тепловому равновесию, по мере того как давление буферных газов и температура ячейки с парами становятся выше. Мы обнаружили, что оптимальные значения давления метана, температуры ячейки и ее длины могут быть определены путем кинетического анализа. Выводы могут быть полезными при проектировании конфигураций ЛПЩМДН с торцевой накачкой.
Ключевые слова:
ЛПЩМДН, ЛПРДН, буферный газ, ячейка с парами, ширина линии, скорость перемешивания подуровней тонкой структуры, тепловое равновесие.
Поступила в редакцию: 28.08.2015 Исправленный вариант: 15.12.2015
Образец цитирования:
Хэ Цай, Ю Ван, Вэй Чжан, Лянпин Сюэ, Хунюань Ван, Цзюхун Хань, Гофэй Ань, Чжаган Цзян, Мин Гао, Цзе Чжоу, Чжие Ляо, “Анализ характеристик лазера на парах рубидия с диодной накачкой с использованием кинетического алгоритма”, Квантовая электроника, 46:8 (2016), 685–692 [Quantum Electron., 46:8 (2016), 685–692]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16434 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v46/i8/p685
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 454 | PDF полного текста: | 116 | Список литературы: | 40 | Первая страница: | 10 |
|