Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 8, страницы 685–692 (Mi qe16434)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Анализ характеристик лазера на парах рубидия с диодной накачкой с использованием кинетического алгоритма

Хэ Цай, Ю Ван, Вэй Чжан, Лянпин Сюэ, Хунюань Ван, Цзюхун Хань, Гофэй Ань, Чжаган Цзян, Мин Гао, Цзе Чжоу, Чжие Ляо

Southwestern Institute of Technical Physics, China
Список литературы:
Аннотация: Рассмотрены лазеры на парах щелочных металлов с диодной накачкой (ЛПЩМДН), позволяющие реализовать высокую выходную мощность. Характеристики таких лазеров сильно зависят от физических свойств используемых буферных газов, а также от структурных параметров ячейки с парами. Особое внимание было сосредоточено на лазере на парах рубидия с диодной накачкой (ЛПРДН): исследовалось влияние на его характеристики различных условий и параметров. Результаты показывают, что ширина линии D2 излучения ЛПРДН и скорость перемешивания подуровней тонкой структуры возбужденных уровней, являющиеся решающими факторами реализации мощного ЛПРДН, увеличиваются с повышением давления буферных газов и температуры ячейки с парами. Показано, что отношение населенностей двух возбужденных энергетических уровней приближается к отношению, соответствующему тепловому равновесию, по мере того как давление буферных газов и температура ячейки с парами становятся выше. Мы обнаружили, что оптимальные значения давления метана, температуры ячейки и ее длины могут быть определены путем кинетического анализа. Выводы могут быть полезными при проектировании конфигураций ЛПЩМДН с торцевой накачкой.
Ключевые слова: ЛПЩМДН, ЛПРДН, буферный газ, ячейка с парами, ширина линии, скорость перемешивания подуровней тонкой структуры, тепловое равновесие.
Поступила в редакцию: 28.08.2015
Исправленный вариант: 15.12.2015
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2016, Volume 46, Issue 8, Pages 685–692
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL15926
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Хэ Цай, Ю Ван, Вэй Чжан, Лянпин Сюэ, Хунюань Ван, Цзюхун Хань, Гофэй Ань, Чжаган Цзян, Мин Гао, Цзе Чжоу, Чжие Ляо, “Анализ характеристик лазера на парах рубидия с диодной накачкой с использованием кинетического алгоритма”, Квантовая электроника, 46:8 (2016), 685–692 [Quantum Electron., 46:8 (2016), 685–692]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16434
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v46/i8/p685
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:442
    PDF полного текста:113
    Список литературы:33
    Первая страница:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024