Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 3, страницы 271–276 (Mi qe16350)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Волоконная оптика

Влияние температуры на активные свойства эрбиевых волоконных световодов

Л. В. Котовab, А. Д. Игнатьевc, М. М. Бубновb, М. Е. Лихачевb

a Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
c ООО "Инновационное предприятие "НЦВО – Фотоника", Москва, Россия
Список литературы:
Аннотация: Исследовано влияние нагрева эрбиевых световодов на характеристики устройств на их основе. Определены температурные зависимости сечений поглощения и излучения ионов эрбия в кварцевом стекле. Показано, что нагрев световодов в мощных (≈100 Вт) эрбиевых волоконных лазерах с накачкой по оболочке не приводит к существенному уменьшению эффективности их работы. Установлено, что суперлюминесцентные источники, работающие в длинноволновом диапазоне (1565 – 1610 нм), напротив, оказываются крайне чувствительными к изменению температуры.
Ключевые слова: эрбиевый волоконный световод, эффективность, температура, суперлюминесцентные источники.
Поступила в редакцию: 11.11.2015
Исправленный вариант: 27.01.2016
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2016, Volume 46, Issue 3, Pages 271–276
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL15968
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Л. В. Котов, А. Д. Игнатьев, М. М. Бубнов, М. Е. Лихачев, “Влияние температуры на активные свойства эрбиевых волоконных световодов”, Квантовая электроника, 46:3 (2016), 271–276 [Quantum Electron., 46:3 (2016), 271–276]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16350
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v46/i3/p271
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:290
    PDF полного текста:138
    Список литературы:39
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024