|
Квантовая электроника, 2016, том 46, номер 3, страницы 189–192
(Mi qe16345)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H6 – 3F4
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Разработана технология роста, и методом Чохральского выращен лазерный кристалл Tm:Ho:Yb3Al5O12 высокого оптического качества. Исследованы его спектрально-люминесцентные характеристики. Реализована лазерная генерация на длине волны 2100 нм при лазерной накачке в линию поглощения на переходе 3H6 – 3F4 иона Tm3+ с длиной волны 1678 нм. Дифференциальный и общий (оптический) КПД лазера достигали 41% и 30% соответственно при выходной мощности излучения до 320 мВт.
Ключевые слова:
Tm, Ho, YbAG, лазер, люминесценция, генерация, время жизни.
Поступила в редакцию: 05.08.2015 Исправленный вариант: 02.12.2015
Образец цитирования:
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков, “Лазерная генерация в кристалле Tm:Ho:Yb3Al5O12 при накачке на переходе 3H6 – 3F4”, Квантовая электроника, 46:3 (2016), 189–192 [Quantum Electron., 46:3 (2016), 189–192]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16345 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v46/i3/p189
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 250 | PDF полного текста: | 79 | Список литературы: | 26 | Первая страница: | 38 |
|