Высокоэффективный универсальный микрочип-лазер айнс-гауссовых мод с самомодуляцией добротности и высокой частотой следования импульсов для оптического захвата

Лазеры айнс-гауссовых (IG) мод могут найти применение для оптического манипулирования микрочастицами, формирования оптических вихрей (вортексов), для оптического захвата и в оптических пинцетах. Универсальные микрочиплазеры на Cr, Nd:YAG IG-моды с самомодуляцией добротности и высокой пиковой мощностью реализованы при наклонной жестко сфокусированной накачке диодным лазером. Получена средняя выходная мощность более 2 Вт при поглощенной мощности накачки 6.4 Вт. Наибольшая эффективность 33.2% по свету была достигнута при поглощенной мощности накачки 3.9 Вт. Получены лазерные импульсы с энергией 7.5 мкДж и пиковой мощностью более 2 кВт при ширине импульса 3.5 нс. При поглощенной мощности накачки 5.8 Вт достигнута частота следования импульсов вплоть до 335 кГц. Созданные высокоэффективные универсальные лазеры IG-моды с высокой частотой следования и высокой пиковой мощностью обеспечивают большую гибкость при манипулировании частицами, а также в оптическом захвате.