Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 12, страницы 1111–1116 (Mi qe16284)  

Активные среды

О влиянии локального колебания на спектральные и лазерные характеристики F2--центров окраски в кристаллах LiF при низких температурах

А. Г. Папашвили, С. Н. Сметанин, М. Е. Дорошенко

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: В результате исследований спектральных и лазерных свойств кристалла LiF:F2- при низких температурах выявлено электронно-колебательное взаимодействие электронов F2--центра с локальным колебанием F2--центра, происходящее на фоне взаимодействия между электронами F2--центров и фононами кристаллической решетки. Взаимодействие электронов с локальным колебанием проявляется в спектрах наличием узких линий, налагающихся на широкие электрон-фононные линии взаимодействия электронов с кристаллической решеткой. Также обнаружено аномальное поведение спектральных линий генерации LiF:F2--лазера при температуре жидкого азота и селективном возбуждении, что объясняется различием вероятностей решеточного и локального взаимодействий.
Ключевые слова: F2--центр окраски, электронно-колебательное взаимодействие, локальное колебание.
Поступила в редакцию: 24.03.2015
Исправленный вариант: 02.07.2015
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 12, Pages 1111–1116
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n12ABEH015816
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 63.20.kd


Образец цитирования: А. Г. Папашвили, С. Н. Сметанин, М. Е. Дорошенко, “О влиянии локального колебания на спектральные и лазерные характеристики F2--центров окраски в кристаллах LiF при низких температурах”, Квантовая электроника, 45:12 (2015), 1111–1116 [Quantum Electron., 45:12 (2015), 1111–1116]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16284
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i12/p1111
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:220
    PDF полного текста:127
    Список литературы:78
    Первая страница:49
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024