Пассивная модуляция добротности YVO4/Nd:YVO4/KTP-лазера зеленого диапазона с внутрирезонаторным удвоением частоты и с насыщающимся поглотителем из GaAs

Реализован "зеленый" YVO₄/Nd:YVO₄/KTP-лазер с диодной накачкой, внутрирезонаторным удвоением частоты и пассивной модуляцией добротности с помощью насыщающегося поглотителя в виде пластины GaAs. В экспериментах использовались два образца пластин GaAs. При использовании пластины толщиной 400 мкм и при мощности падающей накачки 10.5 Вт максимальная выходная мощность зеленого лазера составила 362 мВт при частоте следования 84 кГц и длительности импульса 2.5 нс. При использовании пластины GaAs толщиной 700 мкм минимальная длительность импульса была 1.5 нс при частоте следования 67 кГц, энергии импульса 4.18 мкДж и пиковой мощности 2.8 кВт.