|
Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 9, страницы 868–872
(Mi qe16244)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Интегральная оптика
Исследование оптических свойств многослойных диэлектрических структур методом призменного возбуждения волноводных мод
В. И. Соколов, В. Н. Глебов, А. М. Малютин, С. И. Молчанова, Е. В. Хайдуков, В. Я. Панченко Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Шатуpа Московской обл.
Аннотация:
Предложен метод измерения толщины и показателя преломления тонкопленочных слоев в многослойных диэлектрических структурах, основанный на резонансном возбуждении волноводных мод с использованием призменного устройства связи. Исследованы особенности отражения ТЕ и ТМ поляризованных световых лучей от структуры, включающей в себя одиннадцать чередующихся слоев сульфида цинка (ZnS) и двойного фторида магния и бария (MgBaF4), толщины которых много меньше длины волны оптического излучения. С использованием созданной математической модели проведен расчет коэффициентов отражения коллимированных ТЕ и ТМ световых пучков от многослойной структуры, определены оптические постоянные и толщины составляющих структуру слоев. Показатели преломления слоев, полученные в случае ТЕ и ТМ поляризации падающего излучения, хорошо согласуются между собой. Толщины слоев ZnS и MgBaF4, найденные для различных поляризаций, совпадают с точностью ±1%. Таким образом, впервые продемонстрирована возможность определения оптических свойств тонкопленочных структур методом призменного возбуждения волноводных мод, когда число слоев в структуре больше десяти.
Ключевые слова:
многослойные диэлектрические структуры, призменное возбуждение волноводных мод, измерение параметров тонких пленок.
Поступила в редакцию: 07.05.2015 Исправленный вариант: 25.06.2015
Образец цитирования:
В. И. Соколов, В. Н. Глебов, А. М. Малютин, С. И. Молчанова, Е. В. Хайдуков, В. Я. Панченко, “Исследование оптических свойств многослойных диэлектрических структур методом призменного возбуждения волноводных мод”, Квантовая электроника, 45:9 (2015), 868–872 [Quantum Electron., 45:9 (2015), 868–872]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16244 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i9/p868
|
|