Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 9, страницы 823–827 (Mi qe16243)  

Эта публикация цитируется в 35 научных статьях (всего в 35 статьях)

Лазеры

Масштабирование энергетических характеристик лазера на поликристалле ZnSe:Fe2+ при комнатной температуре

Е. М. Гаврищукab, В. Б. Иконниковa, С. Ю. Казанцевc, И. Г. Кононовc, С. А. Родинa, Д. В. Савинa, Н. А. Тимофееваa, К. Н. Фирсовcd

a Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
d Московский инженерно-физический институт (Национальный исследовательский ядерный университет)
Список литературы:
Аннотация: Исследованы генерационные характеристики лазера на легированных методом диффузии поликристаллических образцах ZnSe:Fe2+, возбуждаемых при комнатной температуре электроразрядным HF-лазером. На образце, легированном с двух сторон (рабочие поверхности), получена энергия генерации E=253 мДж с дифференциальным КПД ηd=33 % и эффективностью по поглощенной энергии ηabs28 % при размерах пятна накачки эллиптической формы a×b=6.8×7.5 мм. Установлено, что возможности дальнейшего увеличения энергии генерации на образцах этого типа посредством увеличения площади пятна накачки (при постоянной плотности энергии накачки) ограничены развитием паразитной генерации, характерной для лазеров с дисковой геометрией. Приводятся первые результаты исследований лазера на поликристаллическом образце, изготовленном по технологии, позволяющей создавать нулевую концентрацию легирующего компонента на поверхности и максимальную в объeме образца (образец с “внутренним легированием”). Обсуждаются перспективы увеличения энергии излучения ZnSe:Fe2+-лазера при комнатной температуре за счет разработки многослойных образцов на основе указанной технологии легирования.
Ключевые слова: ZnSe:Fe2+-лазер, нецепной электроразрядный HF-лазер, оптическая накачка, диффузионное легирование, метод CVD, баротермическая обработка.
Поступила в редакцию: 27.04.2015
Исправленный вариант: 10.06.2015
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 9, Pages 823–827
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n09ABEH015845
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Ks, 42.60.Jf, 42.60.Lh
Образец цитирования: Е. М. Гаврищук, В. Б. Иконников, С. Ю. Казанцев, И. Г. Кононов, С. А. Родин, Д. В. Савин, Н. А. Тимофеева, К. Н. Фирсов, “Масштабирование энергетических характеристик лазера на поликристалле ZnSe:Fe2+ при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 45:9 (2015), 823–827 [Quantum Electron., 45:9 (2015), 823–827]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GavIkoKaz15}
\by Е.~М.~Гаврищук, В.~Б.~Иконников, С.~Ю.~Казанцев, И.~Г.~Кононов, С.~А.~Родин, Д.~В.~Савин, Н.~А.~Тимофеева, К.~Н.~Фирсов
\paper Масштабирование энергетических характеристик лазера на поликристалле ZnSe:Fe$^{2+}$ при комнатной температуре
\jour Квантовая электроника
\yr 2015
\vol 45
\issue 9
\pages 823--827
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe16243}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24850457}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 2015
\vol 45
\issue 9
\pages 823--827
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE2015v045n09ABEH015845}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000362117500006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84943242115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16243
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i9/p823
  • Эта публикация цитируется в следующих 35 статьяx:
    1. Dmitry Permin, Marsel Nazmutdinov, Sergey Kurashkin, Stanislav Balabanov, Alexander Belyaev, Anastasia Novikova, Vitaliy Koshkin, Inorganics, 11:2 (2023), 57  crossref
    2. E M Gavrishchuk, D V Savin, T S Tomilova, V B Ikonnikov, S V Kurashkin, S A Rodin, I G Kononov, S V Podlesnykh, K N Firsov, Laser Phys. Lett., 19:6 (2022), 065801  crossref
    3. Konstantin N. Firsov, Evgeny M. Gavrishchuk, Vladimir B. Ikonnikov, Dmitry V. Savin, Stanislav S. Balabanov, Sergey V. Kurashkin, Igor G. Kononov, Sergey V. Podlesnykh, Laser Congress 2021 (ASSL,LAC), 2021, JM3A.35  crossref
    4. E. E. Alekseev, S. Kazantsev, U. , S. V. Podlesnikh, Opt. Mater. Express, 10:9 (2020), 2075–2084  crossref  isi  scopus
    5. V. A. Antonov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, I. G. Kononov, S. V. Kurashkin, S. V. Podlesnykh, N. A. Raspopov, A. A. Sirotkin, N. V. Zhavoronkov, Appl. Phys. B-Lasers Opt., 126:11 (2020), 179  crossref  isi  scopus
    6. A. E. Dormidonov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, V. B. Ikonnikov, I. G. Kononov, S. V. Kurashkin, S. V. Podlesnykh, D. V. Savin, Phys. Wave Phenom., 28:3 (2020), 222–230  crossref  isi  scopus
    7. A. V. Boryakov, A. A. Gladilin, N. N. Il'ichev, V. P. Kalinushkin, S. A. Mironov, R. R. Rezvanov, V. Uvarov, V. P. Chegnov, I. Chegnova, M. V. Chukichev, A. A. Shiryaev, Opt. Spectrosc., 128:11 (2020), 1844–1850  crossref  isi  scopus
    8. S. S. Balabanov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, V. B. Ikonnikov, I. G. Kononov, S. V. Kurashkin, S. V. Podlesnykh, D. V. Savin, A. A. Sirotkin, Laser Phys. Lett., 16:5 (2019), 055004  crossref  isi
    9. Y.-Y. Li, Y.-L. Ju, T.-Yu. Dai, X.-M. Duan, Ch.-F. Guo, L.-W. Xu, Chin. Phys. Lett., 36:4 (2019), 044201  crossref  isi  scopus
    10. A. A. Gladilin, N. N. Ilichev, V. P. Kalinushkin, M. I. Studenikin, O. V. Uvarov, V. A. Chapnin, V. V. Tumorin, G. G. Novikov, Semiconductors, 53:1 (2019), 1–8  crossref  isi  scopus
    11. Y.-Y. Li, K. Yang, G.-Y. Liu, L.-W. Xu, B.-Q. Yao, Y.-L. Ju, T.-Yu. Dai, X.-M. Duan, Chin. Phys. Lett., 36:7 (2019), 074201  crossref  isi
    12. V. P. Kalinushkin, V. V. Klechkovskaya, Y. V. Klevkov, M. V. Chukichev, R. R. Rezvanov, N. N. Ilichev, A. S. Orekhov, O. V. Uvarov, S. A. Mironov, A. A. Gladilin, V. A. Chapnin, Crystallogr. Rep., 64:1 (2019), 113–118  crossref  isi
    13. Y. Li, K. Yang, G. Liu, B. Yao, Y. Ju, Chin. Opt. Lett., 17:8 (2019), 081404  crossref  isi  scopus
    14. K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, V. B. Ikonnikov, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, S. V. Kurashkin, S. V. Podlesnykh, S. A. Rodin, D. V. Savin, A. A. Sirotkin, Phys. Wave Phenom., 27:3 (2019), 211–216  crossref  isi  scopus
    15. V. A. Antonov, A. A. Davydov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, I. G. Kononov, S. V. Kurashkin, S. V. Podlesnykh, N. A. Raspopov, N. V. Zhavoronkov, Appl. Phys. B-Lasers Opt., 125:9 (2019), 173  crossref  isi  scopus
    16. V. A. Antonov, K. N. Firsov, E. M. Gavrishchuk, V. B. Ikonnikov, I. G. Kononov, T. V. Kotereva, S. V. Kurashkin, S. V. Podlesnykh, S. A. Rodin, D. V. Savin, A. A. Sirotkin, A. M. Titirenko, N. V. Zhavoronkov, Laser Phys. Lett., 16:9 (2019), 095002  crossref  isi  scopus
    17. M Chukichev, R Rezvanov, V Chegnov, O Chegnova, S Mironov, A Gladilin, N Il'ichev, V Kalinushkin, J. Phys.: Conf. Ser., 1410:1 (2019), 012159  crossref
    18. A A Gladilin, V P Kalinuskin, O V Uvarov, N N Il'ichev, E M Gavrischuk, N A Timofeeva, J. Phys.: Conf. Ser., 1199 (2019), 012001  crossref
    19. S. V. Kurashkin, O. V. Martynova, D. V. Savin, E. M. Gavrishchuk, S. A. Rodin, A. P. Savikin, Laser Phys. Lett., 15:2 (2018), 025002  crossref  isi  scopus
    20. E. Gavrishchuk, M. Zykova, E. Mozhevitina, R. Avetisov, V. Ikonnikov, D. Savin, S. Rodin, K. Firsov, S. Kazantsev, I. Kononov, I. Avetissov, Phys. Status Solidi A-Appl. Mat., 215:4, SI (2018), 1700457  crossref  isi  scopus
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:387
    PDF полного текста:90
    Список литературы:51
    Первая страница:29
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025