Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 9, страницы 823–827 (Mi qe16243)  

Эта публикация цитируется в 35 научных статьях (всего в 35 статьях)

Лазеры

Масштабирование энергетических характеристик лазера на поликристалле ZnSe:Fe$^{2+}$ при комнатной температуре

Е. М. Гаврищукab, В. Б. Иконниковa, С. Ю. Казанцевc, И. Г. Кононовc, С. А. Родинa, Д. В. Савинa, Н. А. Тимофееваa, К. Н. Фирсовcd

a Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
d Московский инженерно-физический институт (Национальный исследовательский ядерный университет)
Список литературы:
Аннотация: Исследованы генерационные характеристики лазера на легированных методом диффузии поликристаллических образцах ZnSe:Fe$^{2+}$, возбуждаемых при комнатной температуре электроразрядным HF-лазером. На образце, легированном с двух сторон (рабочие поверхности), получена энергия генерации $E=253$ мДж с дифференциальным КПД $\eta_d=33$ % и эффективностью по поглощенной энергии $\eta_{abs}\approx28$ % при размерах пятна накачки эллиптической формы $a\times b=6.8\times7.5$ мм. Установлено, что возможности дальнейшего увеличения энергии генерации на образцах этого типа посредством увеличения площади пятна накачки (при постоянной плотности энергии накачки) ограничены развитием паразитной генерации, характерной для лазеров с дисковой геометрией. Приводятся первые результаты исследований лазера на поликристаллическом образце, изготовленном по технологии, позволяющей создавать нулевую концентрацию легирующего компонента на поверхности и максимальную в объeме образца (образец с “внутренним легированием”). Обсуждаются перспективы увеличения энергии излучения ZnSe:Fe$^{2+}$-лазера при комнатной температуре за счет разработки многослойных образцов на основе указанной технологии легирования.
Ключевые слова: ZnSe:Fe$^{2+}$-лазер, нецепной электроразрядный HF-лазер, оптическая накачка, диффузионное легирование, метод CVD, баротермическая обработка.
Поступила в редакцию: 27.04.2015
Исправленный вариант: 10.06.2015
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 9, Pages 823–827
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n09ABEH015845
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Ks, 42.60.Jf, 42.60.Lh
Образец цитирования: Е. М. Гаврищук, В. Б. Иконников, С. Ю. Казанцев, И. Г. Кононов, С. А. Родин, Д. В. Савин, Н. А. Тимофеева, К. Н. Фирсов, “Масштабирование энергетических характеристик лазера на поликристалле ZnSe:Fe$^{2+}$ при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 45:9 (2015), 823–827 [Quantum Electron., 45:9 (2015), 823–827]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GavIkoKaz15}
\by Е.~М.~Гаврищук, В.~Б.~Иконников, С.~Ю.~Казанцев, И.~Г.~Кононов, С.~А.~Родин, Д.~В.~Савин, Н.~А.~Тимофеева, К.~Н.~Фирсов
\paper Масштабирование энергетических характеристик лазера на поликристалле ZnSe:Fe$^{2+}$ при комнатной температуре
\jour Квантовая электроника
\yr 2015
\vol 45
\issue 9
\pages 823--827
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe16243}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24850457}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 2015
\vol 45
\issue 9
\pages 823--827
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE2015v045n09ABEH015845}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000362117500006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84943242115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16243
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i9/p823
  • Эта публикация цитируется в следующих 35 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:354
    PDF полного текста:79
    Список литературы:35
    Первая страница:29
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024