Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 8, страницы 701–703 (Mi qe16218)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Ho:YAG-лазер с двухсторонней накачкой и высокой выходной энергией

С. М. Дуаньa, Цз. Цуйa, Л. Цз. Лиb, Т. Й. Дайa, К. К. Юйa, Б. Ц. Яоa

a Harbin Institute of Technology
b Institute of Optoelectronic Technology, Heilongjiang Institute of Technology, Harbin 150001, China
Список литературы:
Аннотация: Сообщается о Ho:YAG-генераторе с двухсторонней резонансной накачкой излучением Tm:YLF-лазеров, имеющем высокую выходную энергию при комнатной температуре. При частоте следования импульсов 100 Гц и длительности импульса 35.2 нс достигнута максимальная энергия импульса 52.5 мДж, что соответствует пиковой мощности примерно 1.5 МВт. Длина волны выходного излучения составила 2090.7 нм при коэффициенте качества пучка $M^2\sim1.2$.
Ключевые слова: двухмикронный лазер, Ho:YAG-лазер, высокая энергия.
Поступила в редакцию: 29.05.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 8, Pages 701–703
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n08ABEH015571
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Gd, 42.60.Da
Образец цитирования: С. М. Дуань, Цз. Цуй, Л. Цз. Ли, Т. Й. Дай, К. К. Юй, Б. Ц. Яо, “Ho:YAG-лазер с двухсторонней накачкой и высокой выходной энергией”, Квантовая электроника, 45:8 (2015), 701–703 [Quantum Electron., 45:8 (2015), 701–703]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DuaCuiLi15}
\by С.~М.~Дуань, Цз.~Цуй, Л.~Цз.~Ли, Т.~Й.~Дай, К.~К.~Юй, Б.~Ц.~Яо
\paper Ho:YAG-лазер с двухсторонней накачкой и высокой выходной энергией
\jour Квантовая электроника
\yr 2015
\vol 45
\issue 8
\pages 701--703
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe16218}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24073807}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 2015
\vol 45
\issue 8
\pages 701--703
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE2015v045n08ABEH015571}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000360691100003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84940369237}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16218
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i8/p701
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024