Диодный лазер высокой мощности, излучающий на 1060 нм, с асимметричным гетероволноводом

Введение асимметричного гетероволновода в эпитаксиальную структуру диодного лазера позволило получить выходную мощность 6.21 Вт на длине волны 1060 нм. Другой вид p- и n-ограничения, основанный на оптимизации энергетических зон, использовался для уменьшения потерь напряжения и выполнения требований достижения высокой мощности и высокой эффективности от розетки. Изготовлен диодный лазер на 1060 нм с одиночной квантовой ямой и асимметричной волноводной гетероструктурой. Измерения показывают, что использование такой гетероструктуры является эффективным методом снижения потерь напряжения, улучшения ограничения инжектируемых носителей и повышения эффективности от розетки.