|
Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 607–609
(Mi qe16204)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Лазеры
Диодный лазер высокой мощности, излучающий на 1060 нм, с асимметричным гетероволноводом
Т. Лиa, Э. Хаоb, Ю. Чжангa a National Key Lab. On High Power Diode Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, 130033, China
b College of Physics, Jilin University, Changchun, 130021, China
Аннотация:
Введение асимметричного гетероволновода в эпитаксиальную структуру диодного лазера позволило получить выходную мощность 6.21 Вт на длине волны 1060 нм. Другой вид p- и n-ограничения, основанный на оптимизации энергетических зон, использовался для уменьшения потерь напряжения и выполнения требований достижения высокой мощности и высокой эффективности от розетки. Изготовлен диодный лазер на 1060 нм с одиночной квантовой ямой и асимметричной волноводной гетероструктурой. Измерения показывают, что использование такой гетероструктуры является эффективным методом снижения потерь напряжения, улучшения ограничения инжектируемых носителей и повышения эффективности от розетки.
Ключевые слова:
высокая мощность, диодный лазер, гетероволновод.
Поступила в редакцию: 24.09.2014 Исправленный вариант: 24.10.2014
Образец цитирования:
Т. Ли, Э. Хао, Ю. Чжанг, “Диодный лазер высокой мощности, излучающий на 1060 нм, с асимметричным гетероволноводом”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 607–609 [Quantum Electron., 45:7 (2015), 607–609]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16204 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i7/p607
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 226 | PDF полного текста: | 58 | Список литературы: | 28 | Первая страница: | 13 |
|