|
Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 8, страницы 711–712
(Mi qe162)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Письма в редакцию
Новые возможности неодимсодержащих кристаллов для генерации УФ и видимого стимулированного излучения на интенсивных излучательных переходах с уровней мультиплетов 4D3/2 и 2Р3/2
А. А. Каминскийa, В. С. Мироновa, С. Н. Багаевb a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Впервые проанализированы возможности лазерных кристаллов с ионами Nd3+ для генерации в УФ и видимом диапазонах. Выявлены общие закономерности поведения интенсивностных характеристик межмультиплетных излучательных переходов этого активатора с уровней его высоколежащих метастабильных состояний 4D3/2 (~28200 см–1) и 2P3/2 (~26100 см–1).
Поступила в редакцию: 02.06.1994
Образец цитирования:
А. А. Каминский, В. С. Миронов, С. Н. Багаев, “Новые возможности неодимсодержащих кристаллов для генерации УФ и видимого стимулированного излучения на интенсивных излучательных переходах с уровней мультиплетов 4D3/2 и 2Р3/2”, Квантовая электроника, 21:8 (1994), 711–712 [Quantum Electron., 24:8 (1994), 655–656]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe162 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i8/p711
|
|