|
Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 4, страницы 312–314
(Mi qe16149)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Экспериментальное исследование слэб-лазера на кристалле Tm:YLF с объемной брэгговской решеткой при различных параметрах элемента выходной связи
Х. М. Дуань, Ю. Динг, Т. Ю. Дай, К. Чжао, Б. К. Яо Harbin Institute of Technology
Аннотация:
С помощью элемента выходной связи с различными параметрами исследована эффективность слэб-лазера на кристалле Tm:YLF. Использован слэб-кристалл a-среза длиной 20 мм с концентрацией ионов тулия 2.5 ат.%. С объемной брэгговской решеткой и эталоном Фабри–Перо выбранная длина волны излучения такого слэб-лазера составила 1908 нм. При использовании оптимизированного элемента выходной связи с пропусканием 20% и радиусом кривизны 300 мм выходная мощность превысила 74.1 Вт, а дифференциальная эффективность по поглощенной мощности накачки достигла 48.4%. Кроме того, было улучшено качество пучка слэб-лазера на Tm:YLF.
Ключевые слова:
твердотельный лазер, диодная накачка, Tm:YLF, объемная брэгговская решетка.
Поступила в редакцию: 17.04.2014 Исправленный вариант: 29.05.2014
Образец цитирования:
Х. М. Дуань, Ю. Динг, Т. Ю. Дай, К. Чжао, Б. К. Яо, “Экспериментальное исследование слэб-лазера на кристалле Tm:YLF с объемной брэгговской решеткой при различных параметрах элемента выходной связи”, Квантовая электроника, 45:4 (2015), 312–314 [Quantum Electron., 45:4 (2015), 312–314]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16149 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i4/p312
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 218 | PDF полного текста: | 71 | Список литературы: | 31 | Первая страница: | 13 |
|