Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 4, страницы 312–314 (Mi qe16149)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Экспериментальное исследование слэб-лазера на кристалле Tm:YLF с объемной брэгговской решеткой при различных параметрах элемента выходной связи

Х. М. Дуань, Ю. Динг, Т. Ю. Дай, К. Чжао, Б. К. Яо

Harbin Institute of Technology
Список литературы:
Аннотация: С помощью элемента выходной связи с различными параметрами исследована эффективность слэб-лазера на кристалле Tm:YLF. Использован слэб-кристалл a-среза длиной 20 мм с концентрацией ионов тулия 2.5 ат.%. С объемной брэгговской решеткой и эталоном Фабри–Перо выбранная длина волны излучения такого слэб-лазера составила 1908 нм. При использовании оптимизированного элемента выходной связи с пропусканием 20% и радиусом кривизны 300 мм выходная мощность превысила 74.1 Вт, а дифференциальная эффективность по поглощенной мощности накачки достигла 48.4%. Кроме того, было улучшено качество пучка слэб-лазера на Tm:YLF.
Ключевые слова: твердотельный лазер, диодная накачка, Tm:YLF, объемная брэгговская решетка.
Поступила в редакцию: 17.04.2014
Исправленный вариант: 29.05.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 4, Pages 312–314
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n04ABEH015534
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.79.Dj


Образец цитирования: Х. М. Дуань, Ю. Динг, Т. Ю. Дай, К. Чжао, Б. К. Яо, “Экспериментальное исследование слэб-лазера на кристалле Tm:YLF с объемной брэгговской решеткой при различных параметрах элемента выходной связи”, Квантовая электроника, 45:4 (2015), 312–314 [Quantum Electron., 45:4 (2015), 312–314]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16149
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i4/p312
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:218
    PDF полного текста:71
    Список литературы:31
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024