Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 2, страницы 102–104 (Mi qe16108)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Лазеры

Спектрально-люминесцентные характеристики переходов 5I75I8 иона гольмия в заготовках и волокнах на основе алюмосиликатного стекла, легированных ионами Ho3+

П. А. Рябочкинаa, А. Н. Чабушкинa, А. Ф. Косолаповb, А. С. Курковcd

a Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, г. Саранск
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
c Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
d Лаборатория фотоники Пермского научного центра УрО РАН
Список литературы:
Аннотация: Определены спектральные зависимости сечений поглощения на переходах 5I85I6 и 5I85I7 ионов Ho3+ в алюмосиликатных волоконных световодах, легированных ионами Ho3+. Получена спектральная зависимость сечения вынужденного излучения на лазерном переходе 5I75I8 ионов Ho3+ в заготовках алюмосиликатных световодов, легированных ионами Ho3+. Измерено время жизни верхнего лазерного уровня 5I7 ионов Ho3+ в этих заготовках.
Ключевые слова: ионы Ho3+, алюмосиликатное стекло, волоконные световоды, люминесценция, сечение вынужденного излучения.
Поступила в редакцию: 18.02.2014
Исправленный вариант: 12.05.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 2, Pages 102–104
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n02ABEH015414
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Wd, 42.81.Dp, 78.60.Lc


Образец цитирования: П. А. Рябочкина, А. Н. Чабушкин, А. Ф. Косолапов, А. С. Курков, “Спектрально-люминесцентные характеристики переходов 5I75I8 иона гольмия в заготовках и волокнах на основе алюмосиликатного стекла, легированных ионами Ho3+”, Квантовая электроника, 45:2 (2015), 102–104 [Quantum Electron., 45:2 (2015), 102–104]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16108
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i2/p102
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025