|
Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 1, страницы 8–10
(Mi qe16106)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Лазеры
Генерация лазера на поликристаллическом Cr2+:ZnSe с нелегированными торцами
Д. В. Савинab, Е. М. Гаврищукab, В. Б. Иконниковab, О. Н. Еремейкинabc, А. С. Егоровca a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
c ООО "Интеллектуальные системы НН", г. Дзержинск, Нижегородская обл.
Аннотация:
Предложена оригинальная методика изготовления образцов поликристаллического Cr2+ : ZnSe с нелегированными торцами. Проведены исследования генерационных характеристик лазера на Cr2+ : ZnSe при импульсно-периодической накачке Tm3+ : YLF-лазером. Получена эффективность преобразования излучения накачки в лазерную генерацию на длине волны 2350 нм, равная 20%. Продемонстрирована повышенная лазерная стойкость образцов Cr2+ : ZnSe к пробою поверхности.
Ключевые слова:
диодная накачка, Tm3+ : YLF-лазер, Cr2+ : ZnSe-лазер, нелегированные торцы.
Поступила в редакцию: 12.11.2014 Исправленный вариант: 26.11.2014
Образец цитирования:
Д. В. Савин, Е. М. Гаврищук, В. Б. Иконников, О. Н. Еремейкин, А. С. Егоров, “Генерация лазера на поликристаллическом Cr2+:ZnSe с нелегированными торцами”, Квантовая электроника, 45:1 (2015), 8–10 [Quantum Electron., 45:1 (2015), 8–10]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16106 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i1/p8
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 387 | PDF полного текста: | 129 | Список литературы: | 42 | Первая страница: | 21 |
|