Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 1, страницы 8–10 (Mi qe16106)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Лазеры

Генерация лазера на поликристаллическом Cr2+:ZnSe с нелегированными торцами

Д. В. Савинab, Е. М. Гаврищукab, В. Б. Иконниковab, О. Н. Еремейкинabc, А. С. Егоровca

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
c ООО "Интеллектуальные системы НН", г. Дзержинск, Нижегородская обл.
PDF полного текста (370 kB) Список цитирования (15)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Предложена оригинальная методика изготовления образцов поликристаллического Cr2+ : ZnSe с нелегированными торцами. Проведены исследования генерационных характеристик лазера на Cr2+ : ZnSe при импульсно-периодической накачке Tm3+ : YLF-лазером. Получена эффективность преобразования излучения накачки в лазерную генерацию на длине волны 2350 нм, равная 20%. Продемонстрирована повышенная лазерная стойкость образцов Cr2+ : ZnSe к пробою поверхности.
Ключевые слова: диодная накачка, Tm3+ : YLF-лазер, Cr2+ : ZnSe-лазер, нелегированные торцы.
Поступила в редакцию: 12.11.2014
Исправленный вариант: 26.11.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 1, Pages 8–10
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n01ABEH015712
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh


Образец цитирования: Д. В. Савин, Е. М. Гаврищук, В. Б. Иконников, О. Н. Еремейкин, А. С. Егоров, “Генерация лазера на поликристаллическом Cr2+:ZnSe с нелегированными торцами”, Квантовая электроника, 45:1 (2015), 8–10 [Quantum Electron., 45:1 (2015), 8–10]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16106
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i1/p8
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:387
    PDF полного текста:129
    Список литературы:42
    Первая страница:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024