| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 52 научных статьях (всего в 52 статьях) Волоконные световоды Люминесцентные свойства висмутовых активных ИК центров в стеклах на основе SiO2 в спектральном диапазоне от УФ до ближнего ИК Е. Г. Фирстоваa, И. А. Буфетовba, В. Ф. Хопинc, В. В. Вельмискинa, С. В. Фирстовa, Г. А. Буфетоваd, К. Н. Нищевe, А. Н. Гурьяновc, Е. М. Диановa a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл. c Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород d Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва e Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, Volume 45, Issue 1, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2015v045n01ABEH015624 
Реферативные базы данных:
   Образец цитирования: Е. Г. Фирстова, И. А. Буфетов, В. Ф. Хопин, В. В. Вельмискин, С. В. Фирстов, Г. А. Буфетова, К. Н. Нищев, А. Н. Гурьянов, Е. М. Дианов, “Люминесцентные свойства висмутовых активных ИК центров в стеклах на основе SiO2 в спектральном диапазоне от УФ до ближнего ИК”, Квантовая электроника, 45:1 (2015), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|