Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 8, страницы 709–710 (Mi qe161)  

Письма в редакцию

Влияние магнитного поля на кольцевой чип-лазер на YAG:Nd3+

Н. М. Шабатькоa, Н. В. Кравцовb, Н. Н. Кравцовa, О. Е. Нанийa

a Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, физический факультет
b НИИ ядерной физики, МГУ им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Экспериментально исследованы поляризационные и частотные характеристики монолитного кольцевого чип-лазера на YAG:Nd3+. Показано, что изменение ориентации внешнего магнитного поля относительно активного элемента позволяет дискретно изменять частоту излучения чип-лазера и поляризацию выходного излучения.
Поступила в редакцию: 02.06.1994
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1994, Volume 24, Issue 8, Pages 653–654
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1994v024n08ABEH000161
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Fc


Образец цитирования: Н. М. Шабатько, Н. В. Кравцов, Н. Н. Кравцов, О. Е. Наний, “Влияние магнитного поля на кольцевой чип-лазер на YAG:Nd3+”, Квантовая электроника, 21:8 (1994), 709–710 [Quantum Electron., 24:8 (1994), 653–654]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe161
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i8/p709
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024