Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 12, страницы 1129–1135 (Mi qe16089)  

Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 24 статьях)

Волоконные световоды

Возбуждение состояния с переносом заряда как основной механизм фотопотемнения алюмосиликатных световодов, легированных оксидом иттербия

К. К. Бобковa, А. А. Рыбалтовскийa, В. В. Вельмискинa, М. Е. Лихачевa, М. М. Бубновa, Е. М. Диановa, А. А. Умниковb, А. Н. Гурьяновb, Н. Н. Вечкановb, И. А. Шестаковаc

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород
c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Исследовано фотопотемнение заготовок световодов с сердцевиной из алюмосиликатного стекла, легированных оксидом иттербия. Анализ спектров поглощения и люминесценции позволил обнаружить появление стабильных ионов Yb2+ в сетке стекла при воздействии ИК излучения лазера накачки с длиной волны λ = 915 нм и УФ излучения эксимерного лазера (λ = 193 нм). Проведены сравнительные исследования спектров люминесценции образцов заготовок и кристаллов при их возбуждении излучением с длиной волны 193 нм. Установлен общий для легированных иттербием кристаллов YAG и алюмосиликатного стекла механизм образования ионов Yb2+ и алюминиевых кислородно-дырочных центров (Al-ОНС) как результат фотоиндуцированного возбуждения состояния переноса заряда ионов Yb3+.
Ключевые слова: фотопотемнение, двухвалентные ионы иттербия, активные иттербиевые волоконные световоды, волоконный лазер, перенос заряда, кислородно-дырочные центры.
Поступила в редакцию: 11.07.2014
Исправленный вариант: 23.09.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2014, Volume 44, Issue 12, Pages 1129–1135
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2014v044n12ABEH015622
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.81.Cn, 42.81.Dp, 32.80.-t


Образец цитирования: К. К. Бобков, А. А. Рыбалтовский, В. В. Вельмискин, М. Е. Лихачев, М. М. Бубнов, Е. М. Дианов, А. А. Умников, А. Н. Гурьянов, Н. Н. Вечканов, И. А. Шестакова, “Возбуждение состояния с переносом заряда как основной механизм фотопотемнения алюмосиликатных световодов, легированных оксидом иттербия”, Квантовая электроника, 44:12 (2014), 1129–1135 [Quantum Electron., 44:12 (2014), 1129–1135]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16089
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v44/i12/p1129
  • Эта публикация цитируется в следующих 24 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024