Корреляция ионизационной реакции в чувствительных точках и параметров чувствительности к воздействию тяжелых заряженных частиц при лазерном тестировании интегральных схем

На основе выборок из больших партий образцов интегральных схем (ИС) двух типов набрана статистика поведения ионизационной реакции в отдельных точках чувствительных областей и в их ближайших окрестностях при их облучении сфокусированным излучением фемтосекундного лазера. Установлена корреляция результатов обработки этих данных с результатами сканирования ИС каждого типа по всей площади кристалла. Обсуждаются критерии экспресс-отбора ИС по параметрам чувствительности к воздействию тяжелых заряженных частиц на основании замеров ионизационной реакции в выбранных точках.