Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 11, страницы 1048–1054 (Mi qe16073)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Волоконные и интегрально-оптические структуры

Отражение TE поляризованного гауссова пучка от слоистой структуры в условиях резонансного возбуждения волноводных мод

В. И. Соколов, Н. В. Марусин, С. И. Молчанова, А. Г. Савельев, Е. В. Хайдуков, В. Я. Панченко

Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Шатуpа Московской обл.
Список литературы:
Аннотация: Рассмотрена задача об отражении TE поляризованного гауссова светового пучка от слоистой структуры в условиях резонансного возбуждения волноводных мод с использованием призмы полного внутреннего отражения. На основе спектрального подхода получены аналитические выражения для длин пробега мод, ширин и глубин m-линий (резких и узких минимумов в угловой зависимости коэффициента зеркального отражения) в зависимости от параметров структуры. Показано, что в случае слабой связи, когда длины пробега волноводных мод lm определяются, в основном, коэффициентом экстинкции в пленке, глубина m-линий растет с номером моды m. В случае сильной связи, когда lm определяются, главным образом, излучением мод в призму, глубина m-линий уменьшается с ростом m. Исследовано изменение формы отраженного от слоистой структуры гауссова пучка, обусловленное перекачкой энергии из падающего пучка в волноводную моду, которая распространяется вдоль структуры на расстояние lm, излучается в направлении зеркального отражения и интерферирует с частью пучка, отраженного от рабочей грани призмы. Показано, что эта интерференция может приводить к возникновению осцилляций интенсивности поля вблизи m-линий. Дан анализ различных методик определения параметров тонкопленочных структур, включая измерение модовых углов θm и формы отраженного пучка. В основе методик лежит одновременное возбуждение нескольких волноводных мод в пленке сильно сфокусированным монохроматическим гауссовым пучком, поперечная ширина которого в перетяжке много меньше длины пробега мод. В качестве примера использования этих методик определены показатель преломления и толщина пленки монооксида кремния на кварцевой подложке на длине волны 633 нм.
Ключевые слова: гауссов пучок, слоистые волноводные структуры, тонкие пленки, измерение показателя преломления, резонансное возбуждение волноводных мод.
Поступила в редакцию: 23.07.2014
Исправленный вариант: 26.09.2014
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2014, Volume 44, Issue 11, Pages 1048–1054
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2014v044n11ABEH015643
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.25.Gy, 42.82.Et


Образец цитирования: В. И. Соколов, Н. В. Марусин, С. И. Молчанова, А. Г. Савельев, Е. В. Хайдуков, В. Я. Панченко, “Отражение TE поляризованного гауссова пучка от слоистой структуры в условиях резонансного возбуждения волноводных мод”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 1048–1054 [Quantum Electron., 44:11 (2014), 1048–1054]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16073
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v44/i11/p1048
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:320
    PDF полного текста:114
    Список литературы:34
    Первая страница:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024