Исследование динамики индуцированной лазерным излучением плазмы свободных носителей заряда в монокристаллическом CVD-алмазе методом двухфотонного поглощения

Методами динамических решеток (ДР) и наведенного поглощения исследована кинетика плазмы свободных носителей заряда (СНЗ), создаваемой пикосекундным лазерным импульсом, в двух высокочистых монокристаллах алмаза, синтезированных из газовой фазы. Решетки с различными пространственными периодами возбуждались на длинах волн 266 или 213 нм (выше и ниже края фундаментального поглощения в алмазе) и зондировались непрерывным излучением в видимой области. При умеренных концентрациях СНЗ (~7 × 10¹⁷ см^-3) коэффициент амбиполярной диффузии и время рекомбинации носителей составили для двух кристаллов 20.3 и 18.9 см²/с, 30 и 190 нс соответственно. Увеличение концентрации носителей до 5 × 10¹⁹ см^-3 сокращает время жизни ДР. Определены условия, при которых релаксация решетки носителей приводит к формированию тепловой решетки с амплитудой, достаточной для ее экспериментального наблюдения.