Особенности взаимодействия УКИ резонансного лазерного излучения с тонкими пленками полупроводника

Изучены закономерности нелинейного нестационарного пропускания и отражения тонкой пленкой полупроводника прямоугольного и гауссова УКИ резонансного лазерного излучения при учете экситон-фотонного взаимодействия и концентрационного усиления дипольного момента экситонного перехода. Показано, что пропускание гауссова импульса характеризуется образованием двух разнесенных во времени и различных по форме субимпульсов с одинаковыми площадями.