Фотопроводимость дифосфида цинка при возбуждении импульсами рубинового лазера

Приводятся результаты исследования кинетики фотопроводимости (люкс-амперные характеристики) легированных и нелегированных кристаллов ZnP₂. Легирование проводилось Р, Se, S, Те. Исследовались образцы двух типов, отличавшиеся чистотой исходных материалов и вакуумом при выращивании. Люкс-амперные характеристики высокочистых кристаллов имеют линейный участок, участок насыщения и квадратичный участок. Первый соответствует двухфотонной проводимости, последний – однофотонной. В менее чистых образцах однофотонный процесс доминирует. Легирование качественного влияния на фотопроводимость не оказывает.