Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1999, том 28, номер 3, страницы 207–211 (Mi qe1567)  

Активные среды

Допустимый перегрев газовой среды в прокачном лазере, возбуждаемом осколками деления ядер урана

Е. В. Приходько, А. Н. Сизов

Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, г. Саров Нижегородская обл.
Аннотация: Рассмотрены ограничения на допустимый перегрев газовых смесей в прокачных газовых лазерах, возбуждаемых осколками деления ядер урана. Первое из ограничений связано с возможностью развития пристеночной зоны теплоотвода, второе вытекает из требования сохранения устойчивости резонатора.
Поступила в редакцию: 16.03.1999
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1999, Volume 29, Issue 9, Pages 762–766
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1999v029n09ABEH001567
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh


Образец цитирования: Е. В. Приходько, А. Н. Сизов, “Допустимый перегрев газовой среды в прокачном лазере, возбуждаемом осколками деления ядер урана”, Квантовая электроника, 28:3 (1999), 207–211 [Quantum Electron., 29:9 (1999), 762–766]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1567
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v28/i3/p207
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025