Кинетика активной среды многоволнового ИК лазера на ксеноне в смесях с Не и Ar, накачиваемых жестким ионизатором. 1. Электроннопучковая накачка

Описана подробная нестационарная многоволновая кинетическая модель лазера на переходах атома ксенона с $\lambda$=1.73, 2.03, 2.65, 2.63, 3.37 и 3.51 мкм в смеси He – Ar – Xe, накачиваемой жестким ионизатором. Проведено тестирование представленной кинетической модели на результатах экспериментов по электроннопучковой накачке Xe-лазера в чистом ксеноне, бинарных и тройных смесях. Численным моделированием установлены основные механизмы накачки верхних рабочих уровней: тройная рекомбинация атомарных ионов ксенона Хе$^+$ (смесь Не – Хе), диссоциативная рекомбинация молекулярных ионов Хе$_2^+$ (чистый Хе), диссоциативная рекомбинации молекулярных ионов ArXe$^+$ и возбуждение электронами из состояний 6$s'$ атома ксенона (смесь (Не) – Ar – Xe). Показано, что вклад каждого из механизмов в накачку верхнего рабочего уровня определяется составом и давлением смеси.