П. И. Хаджи, Д. В. Ткаченко, С. Л. Гайван, “Особенности стационарного пропускания (отражения) тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра”, Квантовая электроника, 27:3 (1999), 265–268 [Quantum Electron., 29:6 (1999), 542

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1999, том 27, номер 3, страницы 265–268 (Mi qe1527)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Нелинейно-оптические явления

Особенности стационарного пропускания (отражения) тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра

П. И. Хаджи^a, Д. В. Ткаченко^b, С. Л. Гайван^c

^a Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, физико-математический факультет, г. Тирасполь, Молдавия
^b Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
^c Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев

PDF полного текста (168 kB) Список цитирования (1)

Аннотация: Исследовано стационарное пропускание (отражение) лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника при учете экситон-фотонного и упругого экситон-экситонного взаимодействий. Полученные зависимости пропускания тонкой пленки от амплитуды падающего излучения и расстройки резонанса при определенных условиях обладают гистерезисом, что объясняется смещением экситонного уровня при увеличении концентрации экситонов.

Поступила в редакцию: 22.03.1999

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1999, Volume 29, Issue 6, Pages 542–545
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1999v029n06ABEH001527

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.65.Pc, 71.35.Gg, 78.20.Ci

Образец цитирования: П. И. Хаджи, Д. В. Ткаченко, С. Л. Гайван, “Особенности стационарного пропускания (отражения) тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра”, Квантовая электроника, 27:3 (1999), 265–268 [Quantum Electron., 29:6 (1999), 542–545]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe1527

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v27/i3/p265

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы