Влияние внешнего электрического поля и фоновой засветки на профиль интенсивности оптических поверхностных волн в системе металл – фоторефрактивный кристалл

Проведено численное моделирование влияния внешнего электрического поля и фоновой засветки на профиль интенсивности оптических фоторефрактивных поверхностных волн на границе металл – фоторефрактивный кристалл. Моделирование осуществлено для кристалла ниобата бария – стронция (SBN) при значениях параметров, соответствующих экспериментальным данным. При численном моделировании обоснованы замена реального металла идеальным и выбор соответствующих граничных условий в зависимости от мощности волны. Выявлены хорошее соответствие результатов расчета ранее опубликованным экспериментальным данным в части влияния фоновой засветки и существенное расхождение в части воздействия внешнего электрического поля. Показана возможность существенного увеличения влияния внешнего электрического поля при уменьшении оптической мощности фоторефрактивной волны до значений, близких к пороговым.