Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 12, страницы 1107–1109 (Mi qe15225)  

Лазеры

ВКР-лазер с внутрирезонаторным преобразованием лазерного излучения на длине волны 1.34 мкм в кристалле BaWO4

А. В. Гаврилов, М. Н. Ершков, А. В. Федин

Ковровская государственная технологическая академия им. В. А. Дегтярева, г. Ковров, Владимирская обл.
Список литературы:
Аннотация: Исследованы режимы генерации излучения на длине волны 1.53 мкм при однокаскадном внутрирезонаторном ВКР-преобразовании в кристалле BaWO4 излучения YAG : Nd-лазера на длине волны 1.34 мкм. При пассивной модуляции добротности YAG:Nd-лазера получена генерация ВКР-излучения со средней мощностью 0.28 Вт, энергией импульса в цуге до 5 мДж и длительностью импульса 19 нс при частоте следования импульсов накачки 15 Гц. При электрооптической модуляции добротности YAG : Nd-лазера получена генерация ВКР-излучения со средней мощностью 0.85 Вт, энергией импульса до 28 мДж и длительностью отдельного импульса 20 нс при частоте следования импульсов накачки 30 Гц.
Ключевые слова: вынужденное комбинационное рассеяние, кристалл BaWO4, YAG:Nd-лазер, модуляция добротности.
Поступила в редакцию: 13.05.2013
Исправленный вариант: 26.07.2013
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 12, Pages 1107–1109
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n12ABEH015225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Ye, 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.70.Mp


Образец цитирования: А. В. Гаврилов, М. Н. Ершков, А. В. Федин, “ВКР-лазер с внутрирезонаторным преобразованием лазерного излучения на длине волны 1.34 мкм в кристалле BaWO4”, Квантовая электроника, 43:12 (2013), 1107–1109 [Quantum Electron., 43:12 (2013), 1107–1109]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe15225
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i12/p1107
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:265
    PDF полного текста:117
    Список литературы:40
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024