Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 7, страницы 638–645 (Mi qe15175)  

Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Лазерная спектроскопия

Роль переходных процессов в спектроскопии резонансных линий атомов цезия в ячейках с антирелаксационным покрытием

Д. И. Севостьяновa, В. П. Яковлевa, А. Н. Козловbc, В. В. Васильевd, С. А. Зибровd, В. Л. Величанскийdaec

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
b Институт земного магнетизма, ионосферы и распространения радиоволн им. Н. В. Пушкова РАН, г. Троицк, Москва
c ООО "Энергоцентр", г. Москва
d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
e Российский квантовый центр, Сколково, Московская обл.
Список литературы:
Аннотация: Исследуются особенности спектров поглощения в D1,2-линиях Cs, вызванные оптической накачкой, в ячейках с антирелаксационным покрытием. В таких ячейках внутреннее состояние атома, возникшее при оптической накачке монохроматическим лазерным полем, с большой вероятностью сохраняется при столкновении атома со стенкой. В результате действие оптической накачки распространяется и на весь объем ячейки, и на все скорости атомов. Это приводит к зависящим от скорости сканирования искажениям контура линии поглощения. Обнаруженные особенности необходимо учитывать при работе с квантовыми магнитометрами с лазерной накачкой, в которых используются ячейки с антирелаксационным покрытием.
Ключевые слова: антирелаксационное покрытие, оптическая накачка, релаксация, внутридоплеровская спектроскопия.
Поступила в редакцию: 14.03.2013
Исправленный вариант: 12.04.2013
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 7, Pages 638–645
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n07ABEH015175
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 32.80.Xx, 32.10.Fn, 42.62.Fi


Образец цитирования: Д. И. Севостьянов, В. П. Яковлев, А. Н. Козлов, В. В. Васильев, С. А. Зибров, В. Л. Величанский, “Роль переходных процессов в спектроскопии резонансных линий атомов цезия в ячейках с антирелаксационным покрытием”, Квантовая электроника, 43:7 (2013), 638–645 [Quantum Electron., 43:7 (2013), 638–645]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe15175
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i7/p638
  • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024