Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 5, страницы 423–427 (Mi qe15170)  

Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)

Полупроводниковые лазеры. Физика и технология

Влияние характеристик аксикона и параметра качества пучка $M^2$ на формирование бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров

Г. С. Соколовскийa, В. В. Дюделевa, С. Н. Лосевa, М. Буткусb, К. К. Соболеваa, А. И. Соболевa, А. Г. Дерягинa, В. И. Кучинскийa, В. Сиббетc, Э. У. Рафаиловb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
b Photonics & Nanoscience Group, School of Engineering, Physics and Mathematics, University of Dundee
c School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews
Список литературы:
Аннотация: В работе исследуются особенности формирования бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров с высоким параметром качества $M^2$. Показано, что длина распространения бесселева пучка определяется в большей степени расходимостью образующего квазигауссова пучка с высоким $M^2$, а не геометрическими параметрами оптической схемы. Продемонстрировано, что технологически неизбежное скругление вершины аксикона ведет к значительному увеличению поперечного размера центральной части бесселева пучка вблизи аксикона.
Ключевые слова: бесселевы пучки, квазигауссовы пучки, аксикон, параметр качества пучка, полупроводниковый лазер.
Поступила в редакцию: 27.02.2013
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 5, Pages 423–427
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n05ABEH015170
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf
Образец цитирования: Г. С. Соколовский, В. В. Дюделев, С. Н. Лосев, М. Буткус, К. К. Соболева, А. И. Соболев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, В. Сиббет, Э. У. Рафаилов, “Влияние характеристик аксикона и параметра качества пучка $M^2$ на формирование бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 423–427 [Quantum Electron., 43:5 (2013), 423–427]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SokDyuLos13}
\by Г.~С.~Соколовский, В.~В.~Дюделев, С.~Н.~Лосев, М.~Буткус, К.~К.~Соболева, А.~И.~Соболев, А.~Г.~Дерягин, В.~И.~Кучинский, В.~Сиббет, Э.~У.~Рафаилов
\paper Влияние характеристик аксикона и параметра качества пучка $M^2$ на формирование бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров
\jour Квантовая электроника
\yr 2013
\vol 43
\issue 5
\pages 423--427
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe15170}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2013QuEle..43..423S}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=23452800}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 2013
\vol 43
\issue 5
\pages 423--427
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE2013v043n05ABEH015170}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000319865200006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84878842770}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe15170
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i5/p423
  • Эта публикация цитируется в следующих 23 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:368
    PDF полного текста:133
    Список литературы:41
    Первая страница:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024