|
Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 11, страницы 989–993
(Mi qe15160)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Лазеры
Исследование Tm:Sc2SiO5 лазера c накачкой на переходе 3H6 – 3F4 ионов Tm3+
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Кристаллы Tm3+ : Sc2SiO5 оптического качества выращены методом Чохральского. В активном элементе, изготовленном из выращенного кристалла, получена лазерная генерация на длине волны ~1.98 мкм при накачке излучением волоконного эрбиевого рамановского лазера с длиной волны 1.678 мкм. Дифференциальная эффективность лазера достигала 42 % при мощности выходного излучения до 320 мВт.
Ключевые слова:
Tm : SSO, Sc2SiO5, лазерная накачка, люминесценция, генерация.
Поступила в редакцию: 19.02.2013 Исправленный вариант: 23.04.2013
Образец цитирования:
Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков, “Исследование Tm:Sc2SiO5 лазера c накачкой на переходе 3H6 – 3F4 ионов Tm3+”, Квантовая электроника, 43:11 (2013), 989–993 [Quantum Electron., 43:11 (2013), 989–993]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe15160 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i11/p989
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 269 | PDF полного текста: | 75 | Список литературы: | 47 | Первая страница: | 14 |
|