|
Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 10, страницы 907–913
(Mi qe15139)
|
|
|
|
Лазеры
Влияние тепловых процессов на критические режимы работы мощных лазерных диодов
В. В. Паращукa, Зоан Мьен Вуb a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
b Institute of Materials Science, Vietnamese Academy of Science and Technology, Vietnam
Аннотация:
Численно и аналитически в трехмерном приближении промоделировано влияние пространственной неоднородности термоупругих напряжений в системе лазерный диод – теплоотвод на выходные характеристики прибора при различных режимах работы. Изучена зависимость критической плотности тока накачки от длительности импульса, геометрии и теплофизических параметров лазерной системы, в том числе для современных теплопередающих материалов подложки. В рамках рассматриваемого подхода найдены оптимальные условия процесса сборки лазерных диодов по качеству позиционирования (посадки) лазерного кристалла на теплоотводящую подложку.
Ключевые слова:
мощные лазерные диоды, система лазерный диод – теплоотвод (контактный слой), неоднородные тепловые поля, термоупругие напряжения, критические режимы работы, алмазные теплоотводящие подложки, позиционирование чипа.
Поступила в редакцию: 31.01.2013 Исправленный вариант: 12.03.2013
Образец цитирования:
В. В. Паращук, Зоан Мьен Ву, “Влияние тепловых процессов на критические режимы работы мощных лазерных диодов”, Квантовая электроника, 43:10 (2013), 907–913 [Quantum Electron., 43:10 (2013), 907–913]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe15139 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i10/p907
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 203 | PDF полного текста: | 79 | Список литературы: | 51 | Первая страница: | 23 |
|