Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 10, страницы 907–913 (Mi qe15139)  

Лазеры

Влияние тепловых процессов на критические режимы работы мощных лазерных диодов

В. В. Паращукa, Зоан Мьен Вуb

a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
b Institute of Materials Science, Vietnamese Academy of Science and Technology, Vietnam
Список литературы:
Аннотация: Численно и аналитически в трехмерном приближении промоделировано влияние пространственной неоднородности термоупругих напряжений в системе лазерный диод – теплоотвод на выходные характеристики прибора при различных режимах работы. Изучена зависимость критической плотности тока накачки от длительности импульса, геометрии и теплофизических параметров лазерной системы, в том числе для современных теплопередающих материалов подложки. В рамках рассматриваемого подхода найдены оптимальные условия процесса сборки лазерных диодов по качеству позиционирования (посадки) лазерного кристалла на теплоотводящую подложку.
Ключевые слова: мощные лазерные диоды, система лазерный диод – теплоотвод (контактный слой), неоднородные тепловые поля, термоупругие напряжения, критические режимы работы, алмазные теплоотводящие подложки, позиционирование чипа.
Поступила в редакцию: 31.01.2013
Исправленный вариант: 12.03.2013
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 10, Pages 907–913
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n10ABEH015139
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh


Образец цитирования: В. В. Паращук, Зоан Мьен Ву, “Влияние тепловых процессов на критические режимы работы мощных лазерных диодов”, Квантовая электроника, 43:10 (2013), 907–913 [Quantum Electron., 43:10 (2013), 907–913]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe15139
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i10/p907
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:203
    PDF полного текста:79
    Список литературы:51
    Первая страница:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024