|
Квантовая электроника, 1999, том 27, номер 1, страницы 16–18
(Mi qe1513)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)
Лазеры
Теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе
А. И. Загуменныйa, Ю. Д. Заварцевa, П. А. Студеникинa, В. И. Власовa, И. А. Щербаковa, Х. Виссb, В. Лютиb, Х. П. Веберb, П. А. Поповc a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Institute of Applied Physics, University of Bern, Switzerland
c Брянский государственный педагогический университет им. академика И. Г. Петровского
Аннотация:
Измерена теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+ в интервале температур 50 — 300 К. При температуре 300 К в направление оси С она составила 9.7 Вт/(м·К), что выше теплопроводности кристалла YAG:Cr,Tm,Ho. В микрочип-лазере на GdVO4:Tm3+ достигнута максимальная выходная мощность 1.4 Вт (λ = 1.915 мкм) при пороге генерации 5.7 Вт и дифференциальном КПД 9.2%. Показано, что для изготовления лазеров с диодной накачкой матрица GdVO4 имеет ряд преимуществ по сравнению с другими средами.
Поступила в редакцию: 13.11.1998
Образец цитирования:
А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, П. А. Студеникин, В. И. Власов, И. А. Щербаков, Х. Висс, В. Люти, Х. П. Вебер, П. А. Попов, “Теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе”, Квантовая электроника, 27:1 (1999), 16–18 [Quantum Electron., 29:4 (1999), 298–300]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1513 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v27/i1/p16
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 200 | PDF полного текста: | 89 | Первая страница: | 1 |
|