Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1999, том 27, номер 1, страницы 16–18 (Mi qe1513)  

Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)

Лазеры

Теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе

А. И. Загуменныйa, Ю. Д. Заварцевa, П. А. Студеникинa, В. И. Власовa, И. А. Щербаковa, Х. Виссb, В. Лютиb, Х. П. Веберb, П. А. Поповc

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Institute of Applied Physics, University of Bern, Switzerland
c Брянский государственный педагогический университет им. академика И. Г. Петровского
Аннотация: Измерена теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+ в интервале температур 50 — 300 К. При температуре 300 К в направление оси С она составила 9.7 Вт/(м·К), что выше теплопроводности кристалла YAG:Cr,Tm,Ho. В микрочип-лазере на GdVO4:Tm3+ достигнута максимальная выходная мощность 1.4 Вт (λ = 1.915 мкм) при пороге генерации 5.7 Вт и дифференциальном КПД 9.2%. Показано, что для изготовления лазеров с диодной накачкой матрица GdVO4 имеет ряд преимуществ по сравнению с другими средами.
Поступила в редакцию: 13.11.1998
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1999, Volume 29, Issue 4, Pages 298–300
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1999v029n04ABEH001513
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Jf, 66.70.+f


Образец цитирования: А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, П. А. Студеникин, В. И. Власов, И. А. Щербаков, Х. Висс, В. Люти, Х. П. Вебер, П. А. Попов, “Теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе”, Квантовая электроника, 27:1 (1999), 16–18 [Quantum Electron., 29:4 (1999), 298–300]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1513
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v27/i1/p16
  • Эта публикация цитируется в следующих 19 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:200
    PDF полного текста:89
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024