|
Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 12, страницы 1081–1086
(Mi qe15031)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Специальный выпуск, посвященный 90-летию Н.Г.Басова
Сравнение когерентных свойств сверхизлучения и лазерного излучения в полупроводниковых структурах
П. П. Васильевab, Р. В. Пентиb, И. Х. Уайтb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Centre for Photonic Systems, Department of Electrical Engineering, University of Cambridge, UK
Аннотация:
Экспериментально исследованы когерентные свойства нестационарного электронно-дырочного состояния, возникающего в процессе генерации сверхизлучения в полупроводниковых лазерных структурах. Для этого использовались интерферометр Майкельсона и классическая конфигурация опыта Юнга с двумя щелями. Продемонстрировано, что в исследованных лазерах корреляционная функция 1-го порядка, определяющая меру пространственной когерентности, близка к единице в случае сверхизлучения и составляет 0.2 – 0.5 для лазерного излучения. Сверхкогерентность обусловлена установлением дальнего порядка при сверхизлучающем фазовом переходе.
Ключевые слова:
сверхизлучение, когерентность, полупроводниковые лазерные структуры, опыт Юнга, интерференционная картина.
Поступила в редакцию: 24.10.2012
Образец цитирования:
П. П. Васильев, Р. В. Пенти, И. Х. Уайт, “Сравнение когерентных свойств сверхизлучения и лазерного излучения в полупроводниковых структурах”, Квантовая электроника, 42:12 (2012), 1081–1086 [Quantum Electron., 42:12 (2012), 1081–1086]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe15031 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i12/p1081
|
|