Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 12, страницы 1081–1086 (Mi qe15031)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Специальный выпуск, посвященный 90-летию Н.Г.Басова

Сравнение когерентных свойств сверхизлучения и лазерного излучения в полупроводниковых структурах

П. П. Васильевab, Р. В. Пентиb, И. Х. Уайтb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Centre for Photonic Systems, Department of Electrical Engineering, University of Cambridge, UK
Список литературы:
Аннотация: Экспериментально исследованы когерентные свойства нестационарного электронно-дырочного состояния, возникающего в процессе генерации сверхизлучения в полупроводниковых лазерных структурах. Для этого использовались интерферометр Майкельсона и классическая конфигурация опыта Юнга с двумя щелями. Продемонстрировано, что в исследованных лазерах корреляционная функция 1-го порядка, определяющая меру пространственной когерентности, близка к единице в случае сверхизлучения и составляет 0.2 – 0.5 для лазерного излучения. Сверхкогерентность обусловлена установлением дальнего порядка при сверхизлучающем фазовом переходе.
Ключевые слова: сверхизлучение, когерентность, полупроводниковые лазерные структуры, опыт Юнга, интерференционная картина.
Поступила в редакцию: 24.10.2012
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, Volume 42, Issue 12, Pages 1081–1086
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2012v042n12ABEH015031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.25.Kb, 42.25.Hz, 42.50.Nn


Образец цитирования: П. П. Васильев, Р. В. Пенти, И. Х. Уайт, “Сравнение когерентных свойств сверхизлучения и лазерного излучения в полупроводниковых структурах”, Квантовая электроника, 42:12 (2012), 1081–1086 [Quantum Electron., 42:12 (2012), 1081–1086]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe15031
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i12/p1081
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:209
    PDF полного текста:139
    Список литературы:24
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024