|
Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 2, страницы 147–149
(Mi qe14985)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Управление параметрами лазерного излучения
Линейка лазерных диодов с перестраиваемой шириной линии для накачки лазера на рубидии
Жиенг Лиab, Ронгкуинг Танb, Чэнг Хуab, Лин Лиab a Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China
b Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China
Аннотация:
Для оптимизации источника диодной накачки мощного лазера на парах рубидия реализована линейка лазерных диодов (ЛЛД) с суженой и перестраиваемой шириной линии генерации и внешним резонатором, сформированным двумя объемными брэгговскими решетками (ОБР). За счет контроля разности температур двух таких решеток ширина линии ЛЛД, которая до их добавления составляла 1.8 нм, изменялась от 0.1 пм до 0.2 нм, тогда как выходная мощность увеличивалась не более чем на 4 %. При одновременном изменении температур ОБР центральная длина волны в воздухе созданной ЛЛД перестраивалась от 779.40 до 780.05 нм.
Ключевые слова:
лазер на парах щелочных металлов, линейка лазерных диодов, объемные брэгговские решетки.
Поступила в редакцию: 14.09.2012
Образец цитирования:
Жиенг Ли, Ронгкуинг Тан, Чэнг Ху, Лин Ли, “Линейка лазерных диодов с перестраиваемой шириной линии для накачки лазера на рубидии”, Квантовая электроника, 43:2 (2013), 147–149 [Quantum Electron., 43:2 (2013), 147–149]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14985 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i2/p147
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 600 | PDF полного текста: | 109 | Список литературы: | 49 | Первая страница: | 7 |
|