Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 1, страницы 63–70 (Mi qe14944)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Нанокомпозиты

Безрезонаторная стохастическая лазерная генерация в нанокомпозитной среде

С. Н. Сметанин, Т. Т. Басиев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Представлен расчет характеристик безрезонаторного стохастического лазера на нанокомпозитной среде, состоящей из прозрачного диэлектрика и рассеивающих активированных нанокристаллов. Предложено в качестве нанокристаллов использовать иттербиевые лазерные среды с высокой концентрацией активных ионов, а в качестве диэлектрической среды, в которую помещаются нанокристаллы, – газы, жидкости или твердые диэлектрики с показателем преломления, меньшим, чем у нанокристаллов. Исходя из представления о нерезонансной распределенной обратной связи за счет рэлеевского рассеяния, получено выражение для минимальной длины нанокомпозитной лазерной среды, при которой преодолевается порог стохастической лазерной генерации. Найдены выражения для критического (наибольшего) и оптимального размеров нанокристаллов, а также для оптимального относительного показателя преломления нанокомпозита, соответствующего не только максимуму коэффициента усиления, но и минимуму пороговой длины среды при оптимальном выборе размера нанокристаллов. Показано, что оптимальный относительный показатель преломления нанокомпозита увеличивается при повышении уровня накачки, но не зависит от других параметров нанокомпозита.
Ключевые слова: стохастическая лазерная генерация, нанокомпозитная среда, активированный нанокристалл, рэлеевское рассеяние.
Поступила в редакцию: 19.07.2012
Исправленный вариант: 03.10.2012
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 1, Pages 63–70
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n01ABEH014944
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Zz, 42.25.Dd, 78.67.Bf


Образец цитирования: С. Н. Сметанин, Т. Т. Басиев, “Безрезонаторная стохастическая лазерная генерация в нанокомпозитной среде”, Квантовая электроника, 43:1 (2013), 63–70 [Quantum Electron., 43:1 (2013), 63–70]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14944
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i1/p63
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024