|
Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 880–886
(Mi qe14920)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Активные среды
Особенности структуры диэлектрических лазерных оксидных керамик
А. А. Каминскийa, А. В. Тарановb, Е. Н. Хазановb, М. Ш. Акчуринa a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва
Аннотация:
Изучена связь транспортных характеристик тепловых фононов субтерагерцевых частот со структурными особенностями однофазных диэлектрических лазерных кристаллокерамик на основе кубических оксидов, синтезированных в различных технологических режимах. Проанализировано влияние процессов пластической деформации на формирование структуры зерен и межзеренных слоев (границ), теплофизические, акустические, оптические и лазерные характеристики материала.
Ключевые слова:
лазерная керамика, фононы, межзеренная граница, двойникование.
Поступила в редакцию: 08.06.2012 Исправленный вариант: 15.08.2012
Образец цитирования:
А. А. Каминский, А. В. Таранов, Е. Н. Хазанов, М. Ш. Акчурин, “Особенности структуры диэлектрических лазерных оксидных керамик”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 880–886 [Quantum Electron., 42:10 (2012), 880–886]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14920 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i10/p880
|
|