Особенности поверхностных фоторефрактивных волн в нелинейном кристалле SBN-75, покрытом металлической пленкой

На основе расчёта потенциала электростатического поля пространственных зарядов выполнен анализ особенностей светоиндуцированного рассеяния излучения с необыкновенной поляризацией в фоторефрактивных (ФР) кристаллах (на примере кристалла SBN-75). С использованием метода изображений проведен анализ электростатического поля при распространении поверхностной (апериодической) волны вдоль границы кристалла с диэлектриком (воздухом). Показано, что удовлетворяющие граничным условиям распределения полей могут возникать лишь при накоплении в узком переходном слое толщиной ~1 мкм экранирующего электрического заряда, знак которого противоположен знаку объёмного заряда в освещённой области кристалла. Предложена модель, объясняющая обнаруженные особенности поверхностных ФР волн в ФР кристалле, покрытом металлической пленкой. При рассмотрении контактной разности потенциалов на границе ФР кристалла и пленки показано, что в прилегающем к ней слое кристалла, обогащённом носителями заряда – электронами, показатель преломления может существенно уменьшаться. В случае малых углов возбуждения (0 – 1.5°) данный слой может играть роль оптического барьера, при отражении от которого могут формироваться приповерхностные волны, характерным отличием которых от наблюдавшихся ранее осциллирующих поверхностных волн является наличие одной уширенной полосы излучения, сдвинутой в глубь кристалла.