Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком

Реализована импульсная лазерная генерация на длине волны 465 нм при продольной накачке электронным пучком гетероструктуры Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с 30 квантовыми ямами, выращенной методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При кривизне внешнего сферического зеркала 30 мм и коэффициенте его пропускания 3 %, а также энергии электронов 42 кэВ пиковая мощность генерации достигала 1.4 Вт. Длительность импульса составляла 20 — 40 нс, ширина спектра не превышала 0.3 нм, расходимость излучения была примерно 4 — 5 мрад, что близко к дифракционному пределу.